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CMPスラリー

米国SINMAT製RCMPスラリー

SINMAT製 Rapid-CMPスラリーは、ワイドバンドギャップ半導体材料に用いられるSiC/GaN/Sapphireウェーハにおける高速CMPプロセスを達成したポリッシュ液です。

米国SINMAT製RCMPスラリー

特長

Silicon Carbide サブストレート用ポリッシングスラリー

Si面 CMP : SC-X

・超高除去率
・効率的な平坦化
・表面変質層の完全除去

C面 CMP : SC-C-X

・高速除去率
・超スムースな表面仕上げ

メカニカルCMP : SC-MC-X

・ラップ後のポリッシュ
・超高除去率 10-20µm/h
・少ない表面変質層

Nitride (GaN / AlN) サブストレート用ポリッシングスラリー

高除去率 CMP : GN-HR-X

・メカニカル後のポリッシュ
・従来技術に比べ最大5倍のレート
・効率的平坦化と表面変質層の除去

超仕上げCMP : GN-HF-X

・超スムースな表面仕上げ
・表面変質層の完全除去
・高速CMP仕上げ

N面 CMP : GN-NF-X

・高除去率 2-5μm/h
・超スムースな表面仕上げ

メカニカルCMP : GN-MC-X

・ラップ後のポリッシュ
・超高除去率 8-10µm/h
・少ない表面変質層

Sapphire サブストレート用ポリッシングスラリー
・高速CMP仕上げ
・超スムースウェーハ(RMS~1A)
・表面変質層の完全な除去
・低いスラリー消費率
・低い総所有コスト
・優れた安定性/再利用性
・各オリエンテーション専用
(C / A / R-Plane )
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